- memory cell
- static memory cell
- 锁存器 (SR latch)
- 触发器 (flip flop)
- D flip flop (DFF) X
- 同步复位：只有时钟沿上升时候，复位才有效
- 异步复位
- SR(set-reset) latch：由两个或非门或者两个与非门组成
- gated SR latch
- D latch
- JK FF
- T FF
- 动态特性
- set up time
- hold time
- propagation delay
- maximum clock frequency
- D flip flop (DFF) X
- dynamic memory cell
- static memory cell
- register：能够储存一组二值代码，N个触发器能储存N位
- 环形计数器：环形计算器的规则是利用一个移位寄存器右移实现，N位的环形计数器能计数的个数为N
- 扭环计数器：扭环计数器又成约翰逊计数器，也是有移位寄存器构成，但是它与环形计数器不同的是将最低位取反后移位到最高位，约翰逊计数器的长度N=2n，因为移位寄存器串行输入端的信号是从反向端 ~Q取得的。经过n个时钟后，计数器的状态与初始状态刚好相反，必须再经过n个时钟后才能回到扭环原态。
- 线性反馈移位寄存器：它是由n个D触发器和若干个异或门组成的。对于一个N位的LFSR计数器有2^N – 1个有效状态
- 独热编码即 One-Hot 编码，又称一位有效编码，其方法是使用N位状态寄存器来对N个状态进行编码，每个状态都由他独立的寄存器位，并且在任意时候，其中只有一位有效。
- memory
- RAM (random access memory)
- SRAM
- DRAM：利用了MOS存储电荷的原理，结构简单，应用广泛。需要定时补充电荷，which is called 刷新或再生
- ROM （read only memory）：电路结构大量简化，不再需要使用锁存器或者触发器作为存储单元
- 掩膜只读存储器（MASK ROM)：固化在里面
- 可编程只读存储器（PROM）：按照自己的设想迅速得到存有所需内容的ROM，只能写入一次
- 用电信号擦除的可编程只读存储器（Flash memory）：最早使用紫外线擦出的，后来出现了用电信号擦除的，即flash memory
- 与register的区别：引脚有限，存储单元数目庞大，每个存储单元对应一个地址，只有调用此地址的时候，这个存储单元才能被写入和读出
- RAM (random access memory)
- TTL门电路的输入端悬空相当于接高电平”，因此根据JK触发器的状态转换公式，能够推出当J、K均为高电平时，输出端为输入端的二分频信号。
- 换路定则：电路分析里的零状态响应和零输入响应