- 对时序的影响：电压降低后，gate的开关速度变慢，性能降低。
- 分类：
- 静态IR drop：静态IR drop现象产生的原因主要是电源网络的金属连线的分压，是由于金属连线的自身电阻分压造成的。电流经过内部电源连线的时候产生电源压降。所以静态IR drop主要跟电源网络的结构和连线细节有关。因此静态IR drop主要考虑电阻效应，分析电阻的影响即可。
- 动态IR drop：动态IR drop是电源在电路开关切换的时候电流波动引起的电压压降。这种现象产生在时钟的触发沿，时钟沿跳变不仅带来自身的大量晶体管开关，同时带来组合逻辑电路的跳变，往往在短时间内在整个芯片上产生很大的电流，这个瞬间的大电流引起了IR drop现象。同时开关的晶体管数量越多，越容易触发动态IR drop现象。
- 如何修复？
- 在有IR drop的地方添加strip，
- 怎么添加？
- 减小负载
- 如何做？
- 添加decap cell（可以补充电压降，因为capacitor放电过程相当于一个电源）
- 怎么添加？
- sign off标准是什么？
- 在有IR drop的地方添加strip，
- 在什么地方容易出现？
- 从电源布线的角度讲，那些远离电源端的地方，电源布线少的地方，容易出现ir-drop的问题。比如wire bond芯片的中间，flip chip的四角，analog macro的边上（因为有些analog的上面不容许数字电源布线）
- 从swtiching activity的角度讲，toggle rate高并且cell densiy高的地方IRdrop大，所以切记不要为了balance clock tree，把一堆clock buffer摆在一起。